NPN 5 GHz wideband transistor The part BFT25A is manufactured by NXP/PHILIPS. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: NXP/PHILIPS  
2. **Part Number**: BFT25A  
3. **Type**: RF Transistor  
4. **Application**: Designed for RF amplification in applications such as VHF/UHF bands.  
5. **Package**: SOT-223 (Surface-Mount)  
6. **Polarity**: NPN  
7. **Maximum Power Dissipation (Ptot)**: Typically 1.25W  
8. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 20V  
9. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 12V  
10. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V  
11. **Collector Current (IC)**: 100mA  
12. **Transition Frequency (fT)**: 5GHz (typical)  
13. **Gain (hFE)**: 15-30 (at specified conditions)  
14. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the verified specifications for the BFT25A transistor from NXP/PHILIPS. No additional guidance or suggestions are provided.

NPN 5 GHz wideband transistor The BFT25A is a high-frequency N-channel enhancement mode RF power transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode RF power transistor  
- **Frequency Range**: 1750–2000 MHz  
- **Output Power**: 25 W (typical)  
- **Gain**: 13 dB (typical)  
- **Efficiency**: 50% (typical)  
- **Voltage (VDS)**: 28 V  
- **Package**: SOT502A (flanged metal-ceramic)  
- **Application**: Designed for use in RF power amplifiers, particularly in industrial, scientific, and medical (ISM) applications.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official NXP datasheet.