N-channel 500 V, 0.4 Ohm, 8.5 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP The STF11NM50N is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STF11NM50N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (500V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **TO-220FP package for better thermal performance**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.