IC Phoenix logo

Home ›  1  › 17 > 1N5818

1N5818 from ON,ON Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

1N5818

Manufacturer: ON

30 V, 1 A schottky power rectifier diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
1N5818 ON 5000 In Stock

Description and Introduction

30 V, 1 A schottky power rectifier diode The 1N5818 is a Schottky diode manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)**: 30V
- **Current - Average Rectified (Io)**: 1A
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If**: 0.5V @ 1A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: Typically 10ns
- **Operating Temperature**: -65°C to +125°C
- **Package / Case**: DO-41
- **Mounting Type**: Through Hole
- **Diode Configuration**: Single

These specifications are based on the standard datasheet provided by ON Semiconductor for the 1N5818 Schottky diode.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
1N5818 PHI 3000 In Stock

Description and Introduction

30 V, 1 A schottky power rectifier diode The 1N5818 is a Schottky diode manufactured by PHI (Power Hybrids International). Key specifications include:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.45V at 1A
- **Reverse Voltage (VR):** 30V
- **Average Rectified Current (IO):** 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 25A
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +150°C
- **Package:** DO-41

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on specific application conditions.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
1N5818 VISHAY 55000 In Stock

Description and Introduction

30 V, 1 A schottky power rectifier diode The 1N5818 is a Schottky diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)**: 30V
- **Current - Average Rectified (Io)**: 1A
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If**: 0.55V @ 1A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: Typically 10ns
- **Operating Temperature**: -65°C to +125°C
- **Package / Case**: DO-41
- **Mounting Type**: Through Hole
- **Diode Configuration**: Single

These specifications are based on the standard datasheet provided by Vishay for the 1N5818 Schottky diode.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
1N5818 PH 28560 In Stock

Description and Introduction

30 V, 1 A schottky power rectifier diode The 1N5818 is a Schottky diode manufactured by various companies, including PH (a common abbreviation for Philips Semiconductors, now NXP Semiconductors). Below are the factual specifications for the 1N5818 Schottky diode:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 25 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 30 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: Typically 0.45 V at 1 A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: Typically 0.5 mA at 30 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-41 (Axial Lead) or similar

These specifications are typical for the 1N5818 Schottky diode and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
1N5818 GS 11000 In Stock

Description and Introduction

30 V, 1 A schottky power rectifier diode The 1N5818 is a Schottky diode manufactured by GS (General Semiconductor). Here are the key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 25A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 0.55V (typical) at 1A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.5mA (maximum) at 25V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-41

These specifications are based on the typical characteristics of the 1N5818 Schottky diode as provided by GS.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
1N5818 MOT 9770 In Stock

Description and Introduction

30 V, 1 A schottky power rectifier diode The 1N5818 is a Schottky diode manufactured by various companies, including Motorola (MOT). Key specifications for the 1N5818 Schottky diode include:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 25 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: Typically 0.55 V at 1 A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: Typically 0.5 mA at 25 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C

These specifications are standard for the 1N5818 Schottky diode and are consistent across manufacturers, including Motorola (MOT).

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips