Schottky Rectifiers The 1N5818M is a Schottky barrier rectifier diode manufactured by various companies, including Diodes Incorporated. Key specifications include:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 25A
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: Typically 0.5V at 1A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: Typically 0.5mA at 25V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-41

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.

Schottky Rectifiers The 1N5818M is a Schottky diode manufactured by STMicroelectronics in France. Key specifications include:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier
- **Package**: SMA (DO-214AC)
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 25A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 0.45V (typical) at 1A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.5mA (maximum) at 30V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics.