3.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS The 1N5821 is a Schottky diode manufactured by General Semiconductor (GS). Here are the key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 80 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 0.45 V (typical) at 3 A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.5 mA (maximum) at 30 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are based on the datasheet provided by General Semiconductor for the 1N5821 Schottky diode.

3.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS The 1N5821 is a Schottky diode manufactured by Motorola (MOT). It has a maximum repetitive peak reverse voltage of 30V, a maximum average forward rectified current of 3A, and a typical forward voltage drop of 0.45V at 1A. The diode is designed for high-efficiency rectification and switching applications. It features a low forward voltage drop and fast switching capabilities. The device is encapsulated in a DO-201AD package.