TECHNICAL SPECIFICATIONS OF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR The 1N6277A is a silicon power rectifier diode manufactured by General Semiconductor (GS). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Power Rectifier Diode
- **Package**: DO-4
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 30 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 400 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical) at 30 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined therein.

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR The part 1N6277A is a silicon rectifier diode manufactured in the USA. It is designed for high-voltage applications and is commonly used in power supply circuits. The key specifications for the 1N6277A include:

- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 6000V
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF):** Typically 1.5V at 1A
- **Operating Junction Temperature Range (TJ):** -65°C to +175°C
- **Package Type:** DO-4 (stud mount)

These specifications are typical for the 1N6277A diode and are based on standard operating conditions.