TECHNICAL SPECIFICATIONS OF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR The 1N6298 is a silicon rectifier diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 6 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 1000 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V at 6 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD

These specifications are typical for the 1N6298 diode as provided by Vishay.

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR The part 1N6298 is a silicon rectifier diode. Here are its key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 6.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 1000 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 6.0 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-4

These specifications are typical for the 1N6298 diode and are used in various rectification applications.