75 V, 500 mW high conductance ultra fast switching diode The 1N914B is a small signal silicon diode manufactured by various companies, including FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). The key specifications for the 1N914B diode are as follows:

- **Type**: Small Signal Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM)**: 100 V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (V_RMS)**: 75 V
- **Maximum DC Blocking Voltage (V_DC)**: 100 V
- **Maximum Forward Voltage (V_F)**: 1 V at 10 mA
- **Maximum Reverse Current (I_R)**: 5 µA at 20 V, 25 µA at 75 V
- **Maximum Forward Current (I_F)**: 200 mA
- **Maximum Surge Current (I_FSM)**: 4 A (8.3 ms single half-sine-wave)
- **Operating and Storage Junction Temperature Range (T_J, T_stg)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-35

These specifications are typical for the 1N914B diode and are consistent with industry standards.

75 V, 500 mW high conductance ultra fast switching diode The 1N914B is a general-purpose silicon diode manufactured by PHILIPS. Key specifications include:

- **Type**: Small Signal Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 75 V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 53 V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 75 V
- **Maximum Average Forward Rectified Current (IO)**: 200 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 4 A (for 1 second)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA (at 20 V), 50 µA (at 75 V)
- **Junction Capacitance (CJ)**: 4 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-35

These specifications are typical for the 1N914B diode as provided by PHILIPS.

75 V, 500 mW high conductance ultra fast switching diode The 1N914B is a small signal silicon diode commonly used in high-speed switching applications. The manufacturer PH (Philips) specifications for the 1N914B include:

- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 100 V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS):** 75 V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC):** 100 V
- **Maximum Average Forward Rectified Current (IO):** 200 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 4 A (for 1 second)
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1 V at 10 mA
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4 ns
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +175°C

These specifications are typical for the 1N914B diode as provided by Philips.