Leaded Zener Diode Temperature Compensated The 1N938B is a Zener diode manufactured by Motorola. According to the MOT specifications, it has a nominal Zener voltage of 6.2V and a power dissipation of 1.0W. The diode operates within a temperature range of -65°C to +200°C. It is designed for voltage regulation applications and features a DO-35 package. The maximum Zener impedance is 10 ohms at a test current of 20mA.

Leaded Zener Diode Temperature Compensated The 1N938B is a Zener diode manufactured by MSC (Micro Semiconductor Corp). It has the following specifications:

- **Zener Voltage (Vz):** 6.2V
- **Power Dissipation (Pz):** 1.3W
- **Tolerance:** ±5%
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C
- **Package:** DO-41

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Leaded Zener Diode Temperature Compensated The 1N938B is a Zener diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Zener Voltage (Vz):** 12 V
- **Power Dissipation (Ptot):** 1.3 W
- **Forward Voltage (Vf):** 1.2 V (typical at 200 mA)
- **Zener Impedance (Zzt):** 10 Ω (typical at Izt)
- **Test Current (Izt):** 20 mA
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +175°C
- **Package:** DO-41
- **Mounting Type:** Through Hole

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 1N938B Zener diode.

Leaded Zener Diode Temperature Compensated The 1N938B is a silicon rectifier diode manufactured by NJS (New Jersey Semiconductor). Here are the specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 600V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 420V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 600V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 1.0A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1V (typical) at 1.0A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5.0µA (maximum) at 600V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41

These specifications are based on the data provided by NJS for the 1N938B diode.