Schottky barrier (double) diodes The **1PS70SB46** from Philips is a high-performance Schottky barrier diode designed for applications requiring low forward voltage drop and fast switching speeds. This electronic component is particularly suited for power supply circuits, voltage clamping, and reverse polarity protection, where efficiency and reliability are critical.  

Featuring a compact SOD323 package, the 1PS70SB46 offers excellent thermal performance and space-saving benefits, making it ideal for modern, miniaturized electronic designs. Its Schottky construction ensures minimal power loss and reduced heat generation, enhancing overall system efficiency.  

With a maximum repetitive reverse voltage of 70V and a forward current rating of 1A, this diode provides robust performance in demanding environments. Its fast recovery time minimizes switching losses, making it suitable for high-frequency applications such as DC-DC converters and switching regulators.  

Engineers and designers will appreciate the 1PS70SB46's reliability and consistent performance, backed by Philips' reputation for quality semiconductor solutions. Whether used in consumer electronics, industrial systems, or automotive applications, this diode delivers dependable operation under varying load conditions.  

In summary, the **1PS70SB46** is a versatile and efficient Schottky diode that meets the needs of high-speed, low-power-loss circuits, ensuring optimal performance in a wide range of electronic applications.

Schottky barrier (double) diodes The part number **1PS70SB46** is a Schottky barrier diode manufactured by **NXP Semiconductors**. Below are the key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Diode
- **Package**: SOD323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 70 V
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 100 mA
- **Forward Voltage (VF)**: 0.38 V (typical) at 1 mA
- **Reverse Current (IR)**: 0.1 µA (typical) at 70 V
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2.5 pF (typical) at 0 V, 1 MHz

This diode is designed for high-speed switching applications and is commonly used in RF and microwave circuits, as well as in general-purpose rectification.