Silicon epitaxial planar type diode. The part 1S1555 is a silicon epitaxial planar diode manufactured by TOSHIBA. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Type**: Silicon epitaxial planar diode
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 55V
- **Maximum average forward current (IF(AV))**: 1A
- **Maximum peak forward surge current (IFSM)**: 30A (non-repetitive)
- **Forward voltage (VF)**: 1V (typical at IF = 1A)
- **Reverse recovery time (trr)**: 4ns (typical)
- **Operating junction temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are typical for high-speed switching diodes used in various electronic circuits.