Rectifier Silicon Diffused Type The part 1S1830 is manufactured by TOSHIBA. It is a silicon epitaxial planar type diode, specifically designed for high-speed switching applications. The diode has a maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM) of 30V and a maximum average forward rectified current (IF(AV)) of 1A. The forward voltage (VF) is typically 1V at a forward current (IF) of 1A. The reverse recovery time (trr) is typically 4ns, making it suitable for high-speed switching. The diode is packaged in a SOD-323 surface mount package.

Rectifier Silicon Diffused Type The part 1S1830 is manufactured by TOS (Toshiba). It is a silicon epitaxial planar type diode, specifically designed for high-speed switching applications. The key specifications include:

- **Type**: Silicon epitaxial planar diode
- **Application**: High-speed switching
- **Reverse Voltage (V_R)**: 30V
- **Forward Current (I_F)**: 1A
- **Forward Voltage (V_F)**: 1V (typical) at 1A
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4ns (typical)
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are typical for the 1S1830 diode, making it suitable for applications requiring fast switching and low forward voltage drop.