Surface Mount Glass Passivated Junction Rectifiers, Forward Current 1.0A, Rev. Voltage 400V The 1N6481 is a silicon rectifier diode manufactured by General Semiconductor (GS). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 200V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 140V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 200V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 80A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1V (typical at 3.0A)
- **Reverse Current (IR)**: 5.0µA (maximum at 200V)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 1N6481 diode.