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2SB764 from TOSH,TOSHIBA

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2SB764

Manufacturer: TOSH

Epitaxial Planar Silicon Transistors Voltage Regulator, Relay Lamp Driver Electrical Equipment Applications

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SB764 TOSH 1100 In Stock

Description and Introduction

Epitaxial Planar Silicon Transistors Voltage Regulator, Relay Lamp Driver Electrical Equipment Applications The 2SB764 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB764 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

Epitaxial Planar Silicon Transistors Voltage Regulator, Relay Lamp Driver Electrical Equipment Applications# Technical Documentation: 2SB764 PNP Bipolar Junction Transistor

 Manufacturer : TOSHIBA

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SB764 is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) primarily employed in:

 Amplification Circuits 
-  Audio preamplifiers : Used in input stages for impedance matching and low-noise signal amplification
-  Sensor interface circuits : Suitable for amplifying low-level signals from sensors (temperature, pressure, light)
-  RF amplification : Limited to low-frequency RF applications up to 50MHz

 Switching Applications 
-  Low-power switching : Ideal for driving relays, LEDs, and small motors in the 500mA range
-  Interface circuits : Used as buffer between microcontrollers and peripheral devices
-  Power management : Employed in simple voltage regulation and power control circuits

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Audio equipment, remote controls, power supplies
-  Industrial Control : Sensor interfaces, control logic circuits, indicator drivers
-  Automotive Electronics : Non-critical control circuits, lighting controls
-  Telecommunications : Low-frequency signal processing and switching

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low saturation voltage : Typically 0.3V at IC=500mA, ensuring efficient switching
-  High current gain : hFE range of 60-320 provides good amplification capability
-  Compact package : TO-92 package enables space-efficient PCB designs
-  Cost-effective : Economical solution for general-purpose applications
-  Wide operating temperature : -55°C to +150°C suitable for various environments

 Limitations: 
-  Frequency constraints : Limited to applications below 50MHz
-  Power handling : Maximum collector current of 500mA restricts high-power applications
-  Thermal considerations : Requires proper heat sinking for continuous operation near maximum ratings
-  Beta variation : Current gain varies significantly with temperature and operating point

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Runaway 
-  Problem : PNP transistors are susceptible to thermal runaway due to negative temperature coefficient
-  Solution : Implement emitter degeneration resistors (1-10Ω) and ensure adequate heat dissipation

 Current Gain Variations 
-  Problem : hFE varies significantly with temperature and collector current
-  Solution : Design circuits with minimum beta requirements and use feedback stabilization

 Saturation Issues 
-  Problem : Inadequate base drive current leading to poor saturation
-  Solution : Ensure IB > IC/hFE(min) and include base current limiting resistors

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
-  Microcontroller Interfaces : Requires current-limiting resistors (typically 1kΩ) when driven from CMOS/TTL outputs
-  Power Supply Matching : Ensure VCC does not exceed VCEO of -30V
-  Load Matching : Verify load impedance matches transistor current handling capability

 Complementary Pairing 
-  NPN Complement : 2SC1815 is commonly paired for push-pull configurations
-  Impedance Matching : Consider input/output impedance when interfacing with other active devices

### PCB Layout Recommendations

 Thermal Management 
-  Copper Pour : Use adequate copper area around the transistor for heat dissipation
-  Vias : Implement thermal vias when mounting on multilayer boards
-  Spacing : Maintain minimum 2mm clearance from heat-sensitive components

 Signal Integrity 
-  Short Traces : Keep base and emitter traces as short as possible to minimize parasitic inductance
-  Grounding : Use star grounding for analog circuits to prevent ground loops
-  Decoupling : Place 100nF ceramic capacitors close to collector and emitter pins

 Assembly Considerations 
-  Orientation : Clearly mark pin 1 (Emitter) on PCB silkscreen
-  Soldering

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SB764 SANYO 3959 In Stock

Description and Introduction

Epitaxial Planar Silicon Transistors Voltage Regulator, Relay Lamp Driver Electrical Equipment Applications The 2SB764 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB764 transistor and are subject to standard manufacturing variations.

Application Scenarios & Design Considerations

Epitaxial Planar Silicon Transistors Voltage Regulator, Relay Lamp Driver Electrical Equipment Applications# Technical Documentation: 2SB764 PNP Bipolar Junction Transistor

 Manufacturer : SANYO  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : [Current Date]

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SB764 is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) primarily employed in low-power amplification and switching applications. Its typical use cases include:

-  Audio Amplification Stages : Used in pre-amplifier circuits and small signal amplification in consumer audio equipment
-  Signal Switching Circuits : Employed in low-frequency switching applications (<100kHz) for signal routing
-  Impedance Matching : Functions as buffer stages in analog circuits requiring impedance transformation
-  Current Source/Sink Applications : Provides stable current sources in bias circuits and reference designs
-  Driver Stages : Powers small relays, LEDs, and other low-current peripheral devices

### Industry Applications
 Consumer Electronics 
- Audio equipment (headphone amplifiers, portable speakers)
- Remote control systems
- Small motor control circuits in household appliances

 Industrial Control Systems 
- Sensor interface circuits
- Logic level shifting applications
- Protection circuit monitoring

 Telecommunications 
- Low-frequency signal processing
- Interface circuits in communication devices

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Cost-Effectiveness : Economical solution for general-purpose applications
-  Availability : Widely available through multiple distributors
-  Ease of Implementation : Simple biasing requirements and straightforward integration
-  Robust Construction : Reasonable tolerance to minor overload conditions
-  Low Noise Performance : Suitable for audio and sensitive analog applications

 Limitations: 
-  Frequency Constraints : Limited to low-frequency applications (typically <100MHz)
-  Power Handling : Maximum power dissipation restricts high-power applications
-  Temperature Sensitivity : Performance degradation at elevated temperatures
-  Beta Variation : Current gain (hFE) shows significant part-to-part variation
-  Saturation Voltage : Higher VCE(sat) compared to modern alternatives

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Overheating due to inadequate heat sinking in continuous operation
-  Solution : Implement proper thermal calculations and consider derating above 25°C ambient temperature

 Biasing Instability 
-  Pitfall : Operating point drift due to temperature variations and beta spread
-  Solution : Use emitter degeneration and stable voltage divider biasing networks

 Frequency Response Limitations 
-  Pitfall : Unexpected roll-off in high-frequency applications
-  Solution : Include frequency compensation and avoid operation near fT limits

### Compatibility Issues with Other Components

 With NPN Transistors 
- Requires careful consideration in complementary symmetry configurations
- Ensure matched characteristics when used in push-pull arrangements

 With Digital ICs 
- Interface circuits must account for voltage level differences
- Base current requirements may exceed digital IC drive capabilities

 Passive Components 
- Base resistors critical for preventing thermal runaway
- Decoupling capacitors essential for stable operation in RF environments

### PCB Layout Recommendations

 General Layout Guidelines 
- Keep lead lengths minimal to reduce parasitic inductance
- Place decoupling capacitors close to collector and emitter pins
- Maintain adequate clearance for heat dissipation

 Thermal Management 
- Use copper pour for heat spreading in continuous operation
- Consider thermal vias for improved heat transfer to ground planes
- Allow sufficient air flow around the component

 Signal Integrity 
- Route base drive signals away from high-current paths
- Implement proper grounding techniques for analog sections
- Use star grounding for mixed-signal applications

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings 
- Collector-Base Voltage (VCBO): -50V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
- Emitter-Base Voltage (

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