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2SC5387 from TOSHIBA

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2SC5387

Manufacturer: TOSHIBA

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SC5387 TOSHIBA 168 In Stock

Description and Introduction

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5387 is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF amplification applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 5.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications make the 2SC5387 suitable for low-noise amplification in communication devices and other high-frequency applications.

Application Scenarios & Design Considerations

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS# Technical Documentation: 2SC5387 Bipolar Junction Transistor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SC5387 is a high-frequency, low-noise NPN bipolar junction transistor specifically designed for  RF amplification applications  in the VHF to UHF frequency ranges. Primary use cases include:

-  Low-noise amplifier (LNA) stages  in receiver front-ends
-  RF driver stages  in transmitter circuits
-  Oscillator circuits  requiring stable high-frequency operation
-  Mixer stages  in frequency conversion systems
-  Buffer amplifiers  for signal isolation between stages

### Industry Applications
This transistor finds extensive application across multiple industries:

-  Telecommunications : Cellular base stations, two-way radio systems
-  Broadcast Equipment : FM radio transmitters, television broadcast systems
-  Wireless Infrastructure : WiFi access points, microwave links
-  Test & Measurement : Spectrum analyzers, signal generators
-  Aerospace & Defense : Radar systems, communication equipment
-  Medical Electronics : RF-based medical imaging and therapy systems

### Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  Excellent noise performance  (NF ≈ 1.5 dB typical at 1 GHz)
-  High transition frequency  (fT = 5.5 GHz typical) enabling UHF operation
-  Good linearity characteristics  for minimal signal distortion
-  Robust construction  with gold metallization for reliability
-  Low feedback capacitance  (Cre ≈ 0.65 pF) enhancing stability

#### Limitations:
-  Limited power handling  (PC = 150 mW maximum)
-  Moderate current capability  (IC = 50 mA maximum)
-  Requires careful impedance matching  for optimal performance
-  Sensitive to electrostatic discharge  (ESD) due to small geometry
-  Thermal considerations  necessary for reliable operation

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

#### Pitfall 1: Improper Biasing
 Problem : Incorrect DC operating point leading to poor noise figure or gain compression
 Solution : Implement stable current source biasing with temperature compensation

#### Pitfall 2: Oscillation Issues
 Problem : Unwanted oscillations due to poor layout or inadequate decoupling
 Solution : Use proper RF grounding techniques and include stability resistors

#### Pitfall 3: Impedance Mismatch
 Problem : Suboptimal power transfer and increased noise figure
 Solution : Implement precise impedance matching networks using Smith chart analysis

#### Pitfall 4: Thermal Runaway
 Problem : Device failure due to inadequate heat dissipation
 Solution : Incorporate thermal vias and ensure proper PCB copper area

### Compatibility Issues with Other Components

#### Passive Components:
-  Requires high-Q capacitors  (C0G/NP0 dielectric recommended)
-  Precision resistors  with low parasitic inductance for bias networks
-  RF chokes  with adequate self-resonant frequency

#### Active Components:
-  Compatible with modern RF ICs  but may require level shifting
-  Interface considerations  with digital control circuits
-  Power supply compatibility  with low-noise regulators

#### Interconnect Issues:
-  Microstrip/stripline impedance  must match device requirements
-  Connector interfaces  require proper transition design
-  Shielding requirements  for sensitive RF stages

### PCB Layout Recommendations

#### General Layout Principles:
-  Minimize lead lengths  and parasitic inductance
-  Implement solid ground planes  with multiple vias
-  Use controlled impedance transmission lines 

#### Critical Areas:
1.  Input Matching Network 
   - Place matching components close to base terminal
   - Use shortest possible traces to minimize stray inductance

2.  Output Circuit 
   - Implement proper output matching for maximum power transfer
   - Include DC blocking capacitors where required

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