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2SC5584 from panasonic

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2SC5584

Manufacturer: panasonic

Power Device

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SC5584 panasonic 137 In Stock

Description and Introduction

Power Device The 2SC5584 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 800MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 800MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications are typical for high-frequency applications, such as RF amplifiers and oscillators.

Application Scenarios & Design Considerations

Power Device# Technical Documentation: 2SC5584 NPN Bipolar Junction Transistor

*Manufacturer: Panasonic*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SC5584 is a high-voltage NPN bipolar junction transistor primarily designed for  switching applications  and  amplification circuits  requiring robust voltage handling capabilities. Common implementations include:

-  Power supply switching circuits  in SMPS (Switch-Mode Power Supplies)
-  Horizontal deflection output stages  in CRT displays and monitors
-  High-voltage amplifier stages  in audio and RF equipment
-  Driver stages  for motor control and relay circuits
-  Electronic ballasts  for fluorescent lighting systems

### Industry Applications
 Consumer Electronics: 
- CRT television and monitor deflection circuits
- Power supply units for home entertainment systems
- Audio amplifier output stages

 Industrial Equipment: 
- Motor drive controllers
- Power inverter systems
- Industrial lighting controls

 Telecommunications: 
- RF power amplifier driver stages
- Transmission line driver circuits

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High voltage capability  (VCEO = 1500V min) suitable for demanding applications
-  Excellent switching speed  with typical ft of 18MHz
-  Robust construction  for reliable operation in harsh environments
-  Good thermal characteristics  when properly heatsinked
-  Cost-effective solution  for high-voltage switching applications

 Limitations: 
-  Limited current handling  (IC = 5A max) compared to power MOSFET alternatives
-  Lower switching frequency  capability compared to modern switching transistors
-  Requires careful drive circuit design  due to bipolar transistor characteristics
-  Thermal management critical  at higher current levels

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Runaway: 
-  Pitfall:  Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution:  Implement proper thermal calculations and use adequate heatsinking with thermal compound

 Secondary Breakdown: 
-  Pitfall:  Operating in unsafe operating area (SOA) causing device failure
-  Solution:  Include SOA protection circuits and operate within specified limits

 Base Drive Issues: 
-  Pitfall:  Insufficient base drive current causing saturation problems
-  Solution:  Design base drive circuit to provide adequate IB (typically 1/10 to 1/20 of IC)

### Compatibility Issues with Other Components

 Drive Circuit Compatibility: 
- Requires  adequate base drive current  (typically 0.5-1A for full saturation)
-  TTL/CMOS logic interfaces  need level shifting or driver ICs (ULN2003, etc.)
-  PWM controllers  must provide sufficient drive capability

 Protection Circuit Requirements: 
-  Snubber circuits  essential for inductive load switching
-  Overcurrent protection  using fuses or current sensing
-  Voltage clamping  for voltage spikes in inductive circuits

### PCB Layout Recommendations

 Power Routing: 
- Use  wide copper traces  for collector and emitter paths
- Implement  ground planes  for improved thermal dissipation
- Maintain  adequate creepage distances  for high-voltage operation

 Thermal Management: 
- Position  close to board edge  for heatsink attachment
- Use  thermal vias  under device package for improved heat transfer
- Provide  adequate copper area  around mounting holes

 Signal Integrity: 
- Keep  base drive components  close to transistor pins
- Route  high-current paths  away from sensitive signal traces
- Implement  proper decoupling  near device pins

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings: 
-  VCEO:  1500V (Collector-Emitter Voltage) - Critical for high-voltage applications
-  IC:  5A (Collect

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