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26MT100 from VISHAY

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26MT100

Manufacturer: VISHAY

1000V 3 Phase Bridge in a D-63 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
26MT100 VISHAY 15 In Stock

Description and Introduction

1000V 3 Phase Bridge in a D-63 package The part number 26MT100 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Manufacturer:** Vishay
- **Part Number:** 26MT100
- **Type:** N-Channel MOSFET
- **Voltage - Drain to Source (Vdss):** 100V
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** 26A
- **Power Dissipation (Pd):** 75W
- **Gate to Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds On):** 0.045 Ohm
- **Package / Case:** TO-220AB
- **Mounting Type:** Through Hole
- **Operating Temperature:** -55°C to 175°C

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.

Application Scenarios & Design Considerations

1000V 3 Phase Bridge in a D-63 package# Technical Documentation: 26MT100 Schottky Barrier Rectifier

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 26MT100 is a 100V, 26A Schottky barrier rectifier primarily employed in  high-frequency switching applications  where low forward voltage drop and fast recovery characteristics are critical. Common implementations include:

-  Switch-mode power supplies (SMPS)  - Particularly in output rectification stages of AC/DC converters and DC/DC converters
-  Freewheeling diodes  in buck, boost, and buck-boost converter topologies
-  Reverse polarity protection  circuits in high-current systems
-  OR-ing diodes  in redundant power supply configurations
-  Battery charging circuits  where low voltage drop minimizes power dissipation

### Industry Applications
 Automotive Electronics: 
- Electric vehicle power conversion systems
- LED lighting drivers
- Engine control units (ECUs)
- Battery management systems

 Industrial Equipment: 
- Motor drive circuits
- Welding equipment power supplies
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Industrial automation controllers

 Consumer Electronics: 
- High-power laptop adapters
- Gaming console power supplies
- Large-format display power modules
- Server power supplies

 Renewable Energy: 
- Solar inverter circuits
- Wind turbine power conversion
- Energy storage systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low forward voltage drop  (typically 0.55V at 13A, 25°C) significantly reduces power losses
-  Fast switching characteristics  with essentially no reverse recovery time enable high-frequency operation up to 500kHz
-  High current capability  (26A average forward current) supports power-dense designs
-  Excellent thermal performance  with low thermal resistance (1.5°C/W junction-to-case)
-  High surge current capability  (300A peak) provides robustness against transient overloads

 Limitations: 
-  Higher reverse leakage current  compared to PN junction diodes, particularly at elevated temperatures
-  Limited reverse voltage rating  (100V) restricts use in high-voltage applications
-  Temperature sensitivity  - Forward voltage decreases with temperature while reverse leakage increases
-  Higher cost  compared to standard recovery diodes with similar voltage/current ratings

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues: 
-  Pitfall:  Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution:  Implement proper thermal calculations considering maximum junction temperature (150°C) and derate current based on ambient temperature

 Voltage Spikes and Transients: 
-  Pitfall:  Unsuppressed voltage spikes exceeding maximum reverse voltage
-  Solution:  Incorporate snubber circuits and TVS diodes for overvoltage protection

 Current Sharing in Parallel Configurations: 
-  Pitfall:  Unequal current distribution when paralleling multiple devices
-  Solution:  Use matched devices or include ballast resistors to ensure current balance

 Layout-Induced Oscillations: 
-  Pitfall:  Parasitic inductance causing ringing during switching transitions
-  Solution:  Minimize loop area in high-di/dt paths and use proper decoupling

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers and Controllers: 
- Compatible with most PWM controllers (TI, Infineon, STMicroelectronics)
- Ensure controller dead time accommodates Schottky's fast recovery

 MOSFET/IGBT Compatibility: 
- Excellent pairing with modern MOSFETs in synchronous rectification
- Watch for voltage rating matching with switching devices

 Capacitor Selection: 
- Requires low-ESR capacitors for effective filtering
- Ceramic capacitors recommended for high-frequency decoupling

 Magnetic Components: 
- Works well with ferrite-core transformers and inductors
- Consider saturation characteristics when designing

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