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2SK3767 from TOSHIBA

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2SK3767

Manufacturer: TOSHIBA

MOSFET 2SK/2SJ Series

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SK3767 TOSHIBA 10000 In Stock

Description and Introduction

MOSFET 2SK/2SJ Series The **2SK3767** from **TOSHIBA** is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power switching applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

With a **drain-source voltage (VDSS)** rating of **600V** and a **continuous drain current (ID)** of **8A**, the 2SK3767 offers robust performance in demanding environments. Its low **on-resistance (RDS(on))** ensures minimal power loss, improving overall efficiency in high-power applications.  

The MOSFET features a **fast recovery body diode**, reducing switching losses and enhancing reliability in high-frequency circuits. Its **TO-220F package** provides excellent thermal dissipation, making it suitable for applications requiring sustained high-power operation.  

Engineers favor the 2SK3767 for its **rugged design** and **consistent performance** under varying load conditions. Whether used in industrial equipment, automotive systems, or renewable energy solutions, this MOSFET delivers dependable power management with minimal heat generation.  

For designers seeking a **high-voltage**, **low-loss** switching solution, the 2SK3767 remains a trusted choice in power electronics. Its combination of efficiency, durability, and thermal performance makes it ideal for modern energy-efficient designs.

Application Scenarios & Design Considerations

MOSFET 2SK/2SJ Series# Technical Documentation: 2SK3767 MOSFET

 Manufacturer : TOSHIBA  
 Component Type : N-Channel Power MOSFET

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## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SK3767 is primarily employed in  power switching applications  requiring high efficiency and fast switching characteristics. Common implementations include:

-  DC-DC Converters : Used in buck/boost converter topologies for voltage regulation
-  Motor Drive Circuits : Provides PWM control for brushed DC motors up to 30A
-  Power Supply Units : Switching element in SMPS designs
-  Battery Management Systems : Load switching and protection circuits
-  Inverter Circuits : Power stage switching in DC-AC conversion systems

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Electric power steering, engine control units
-  Industrial Automation : PLC output modules, motor controllers
-  Consumer Electronics : High-power audio amplifiers, gaming consoles
-  Renewable Energy : Solar charge controllers, wind turbine converters
-  Telecommunications : Base station power supplies, server PSUs

### Practical Advantages
-  Low On-Resistance : RDS(on) typically 25mΩ at VGS=10V, minimizing conduction losses
-  Fast Switching : Typical switching frequency capability up to 500kHz
-  High Current Handling : Continuous drain current rating of 30A
-  Robust Construction : TO-220SIS package provides excellent thermal performance
-  Low Gate Charge : Qg typ. 35nC, enabling efficient gate driving

### Limitations
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of 600V limits high-voltage applications
-  Gate Sensitivity : Requires proper gate drive circuitry to prevent oscillations
-  Thermal Management : Maximum junction temperature of 150°C necessitates heatsinking
-  Avalanche Energy : Limited repetitive avalanche capability requires snubber circuits

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## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Pitfall 1: Gate Oscillation 
-  Cause : Long gate traces and inadequate gate resistance
-  Solution : Implement gate resistor (2.2-10Ω) close to MOSFET gate pin

 Pitfall 2: Shoot-Through in Bridge Configurations 
-  Cause : Insufficient dead time in half/full-bridge circuits
-  Solution : Implement minimum 200ns dead time between complementary switches

 Pitfall 3: Voltage Spikes During Switching 
-  Cause : High di/dt in inductive loads and parasitic inductance
-  Solution : Use snubber circuits and proper PCB layout techniques

### Compatibility Issues
 Gate Drivers :
- Compatible with standard MOSFET drivers (IR21xx, TLP250 series)
- Requires minimum 10V VGS for full enhancement
- Avoid drivers with slow rise/fall times (>100ns)

 Protection Circuits :
- Overcurrent protection must account for fast response time
- Thermal protection required for sustained high-current operation
- TVS diodes recommended for voltage spike suppression

 Decoupling Requirements :
- 100nF ceramic capacitor required near drain-source pins
- Bulk capacitance (47-100μF) needed for high-current applications

### PCB Layout Recommendations
 Power Path Layout :
- Use wide copper pours (minimum 2mm width per 10A)
- Minimize loop area in high-current paths
- Place input/output capacitors close to device pins

 Gate Drive Circuit :
- Keep gate drive traces short and direct
- Isolate gate drive ground from power ground
- Use ground plane for noise reduction

 Thermal Management :
- Provide adequate copper area for heatsinking
- Use thermal vias when mounting to heatsink
- Maintain minimum 3mm clearance from other components

 High-Frequency Considerations :
- Implement star grounding for mixed-signal circuits
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