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2SK810 from NEC

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2SK810

Manufacturer: NEC

FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SK810 NEC 100 In Stock

Description and Introduction

FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET The 2SK810 is a power MOSFET manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 8A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.9Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 300pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

Application Scenarios & Design Considerations

FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET# Technical Documentation: 2SK810 N-Channel Junction Field-Effect Transistor (JFET)

 Manufacturer : NEC  
 Component Type : N-Channel Junction Field-Effect Transistor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SK810 serves as a high-performance N-channel JFET optimized for low-noise amplification applications. Its primary use cases include:

 Audio Frequency Applications 
- Microphone preamplifier input stages
- Phonograph cartridge amplification circuits
- High-impedance instrument inputs (guitar pickups, transducer interfaces)
- Professional audio mixing console input buffers

 RF and Communication Systems 
- VHF/UHF receiver front-end amplifiers
- Oscillator circuits requiring high frequency stability
- Low-noise RF mixers and converters
- Antenna matching network buffers

 Test and Measurement Equipment 
- Precision oscilloscope probe interfaces
- Low-noise signal conditioning circuits
- High-impedance probe amplifiers
- Sensitive detector input stages

### Industry Applications
 Broadcast and Professional Audio 
- Studio microphone preamplifiers
- Broadcast console input stages
- Digital audio workstation interface circuits
- High-end consumer audio equipment

 Telecommunications 
- Base station receiver front-ends
- Wireless communication equipment
- Satellite receiver systems
- Radio frequency identification (RFID) readers

 Medical Instrumentation 
- Biomedical signal acquisition
- ECG/EEG amplifier input stages
- Ultrasound receiver circuits
- Patient monitoring equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Exceptional Noise Performance : Typically <1.5 dB noise figure at audio frequencies
-  High Input Impedance : >10^12 Ω input resistance minimizes loading effects
-  Temperature Stability : Stable performance across operating temperature ranges
-  Linearity : Excellent linearity for small-signal applications
-  Simplicity : Requires minimal external components for basic operation

 Limitations: 
-  Limited Power Handling : Maximum power dissipation of 200 mW restricts high-power applications
-  Gate-Source Voltage Sensitivity : Requires careful bias point selection
-  Parameter Spread : Significant device-to-device variation necessitates individual circuit tuning
-  Aging Effects : Long-term parameter drift may require periodic recalibration in precision circuits

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Bias Point Instability 
-  Problem : JFET parameters vary significantly with temperature and between devices
-  Solution : Implement source degeneration resistors (100Ω-1kΩ) to stabilize operating point
-  Alternative : Use constant current sources in source circuit for improved stability

 Oscillation in RF Applications 
-  Problem : Parasitic oscillations at VHF frequencies due to high gain
-  Solution : Include ferrite beads in drain/gate leads and proper RF decoupling
-  Implementation : 100pF ceramic capacitors close to device pins with 10Ω series resistors

 Input Protection 
-  Problem : Gate-source junction vulnerable to electrostatic discharge
-  Solution : Incorporate back-to-back diodes or transient voltage suppressors at input
-  Additional : Use 1MΩ gate resistor to limit discharge current

### Compatibility Issues with Other Components

 Power Supply Considerations 
- Compatible with ±15V operational amplifier supplies
- Requires careful decoupling: 10μF electrolytic + 100nF ceramic per supply rail
- Avoid switching regulators in close proximity due to noise injection

 Interface with Digital Circuits 
- Level shifting required when interfacing with CMOS/TTL logic
- Recommended: Use dedicated level translator ICs or resistor dividers
- Pay attention to rise/fall time compatibility

 Mixed-Signal Environments 
- Sensitive to digital noise coupling
- Implement proper grounding: star ground configuration recommended
- Separate analog and digital power domains with ferrite beads

### PCB Layout Recommendations

 General Layout Principles 
- Keep input circuitry compact

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