600V Fast Recovery Diode in a D-Pak package The part 8EWF06S is manufactured by Infineon Technologies. It is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for high-power applications. The key IR (Infrared) specifications for this part include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vces):** 600V
- **Collector Current (Ic):** 75A
- **Gate-Emitter Voltage (Vge):** ±20V
- **Power Dissipation (Ptot):** 300W
- **Junction Temperature (Tj):** -40°C to 150°C
- **Thermal Resistance (Rth(j-c)):** 0.25°C/W

These specifications are critical for ensuring the module operates within its designed thermal and electrical limits.