100V 8A Schottky Discrete Diode in a TO-220AC package The part 8TQ100 is manufactured by International Rectifier (IR). It is a dual N-channel MOSFET in a D2PAK (TO-263) package. The key IR specifications for this part include:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 75A at 25°C
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 300A
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W at 25°C
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 8.5mΩ at V_GS = 10V
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 120nC at V_DS = 50V, I_D = 75A
- **Input Capacitance (C_iss)**: 5200pF
- **Output Capacitance (C_oss)**: 1100pF
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 200pF
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C

These specifications are based on the datasheet provided by International Rectifier for the 8TQ100 MOSFET.