0.800W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 1.000A Ic, 40 The BC637 is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 625mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 160 (at IC = 500mA, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (min)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BC637 transistor.

0.800W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 1.000A Ic, 40 The BC637 is a general-purpose NPN transistor manufactured by Philips (PH). Here are its key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 160  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

These are the factual specifications for the BC637 transistor from PH (Philips).

0.800W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 1.000A Ic, 40 The BC637 is a general-purpose NPN transistor manufactured by ON Semiconductor.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 80V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250 (varies by part suffix)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  

**Complementary PNP Transistor:** BC627  

**Applications:**  
- General-purpose amplification  
- Switching circuits  
- Low-power applications  

Note: Exact parameters may vary depending on the suffix (e.g., BC637-16, BC637-25). Always refer to the datasheet for precise values.

0.800W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 1.000A Ic, 40 The BC637 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple companies, including Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the factual specifications for the BC637 transistor:  

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Transistor Type**: NPN  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 160 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC637 transistor.

0.800W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 1.000A Ic, 40 The BC637 is an NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 1A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the BC637 transistor.