SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including NXP Semiconductors and ON Semiconductor.  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Common Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

The exact specifications may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by PHI (formerly Philips). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: SOT23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 200–450 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on KEC's datasheet for the BC847B transistor.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by PHILIPS/NXP. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: SOT23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200-450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on standard datasheet values.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including NXP Semiconductors, ON Semiconductor, and others. Below are the key specifications for the BC847B:

### **Electrical Characteristics (Typical @ 25°C):**
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  

### **Package Options:**
- **SOT23 (Surface-Mount, 3-Pin)**  
- **TO-92 (Through-Hole, 3-Pin)**  

### **Applications:**
- General-purpose amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  

The BC847B is part of the BC847 series, which includes variants with different gain groupings (e.g., BC847A, BC847C).  

Note: Exact specifications may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor (formerly part of Infineon's product line). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Transistor  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

Applications include amplification, switching, and signal processing in low-power circuits.  

(Note: Infineon no longer produces this part; it is now under ON Semiconductor's portfolio.)

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor  
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the datasheet from NXP/Philips.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

- **Type:** NPN  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 45 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 50 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6 V  
- **Collector Current (I_C):** 100 mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 250 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–450 (at I_C = 2 mA, V_CE = 5 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BC847B transistor.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by CJ (Changjiang Electronics Tech). Here are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Package**: SOT-23  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN transistor  
2. **Package**: SOT23 (3-pin)  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
4. **Maximum Collector Current (I_C)**: 100mA  
5. **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
6. **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
7. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical for the BC847B transistor as provided by NXP.