TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GLASS SILICON ZENER DIODES The BZX55C4V7 is a Zener diode manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are its key specifications:

- **Zener Voltage (VZ)**: 4.7V  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 500mW  
- **Tolerance**: ±5%  
- **Maximum Reverse Leakage Current (IR)**: 5µA (at 1V)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: DO-35 (Glass)  
- **Forward Voltage (VF)**: 1.2V (at 200mA)  
- **Dynamic Resistance (ZZT)**: 60Ω (at 5mA)  

These are the factual specifications provided in the ST datasheet for the BZX55C4V7.

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GLASS SILICON ZENER DIODES The **BZX55C4V7** is a widely used Zener diode designed for voltage regulation and protection in electronic circuits. As part of the BZX55 series, this component offers a nominal Zener voltage of **4.7V**, making it suitable for low-voltage applications where precise voltage stabilization is required.  

Zener diodes like the BZX55C4V7 operate in reverse-bias mode, maintaining a constant voltage across their terminals once the breakdown voltage is reached. This characteristic makes them ideal for voltage reference, clipping, and surge suppression in power supplies, signal conditioning circuits, and consumer electronics.  

With a power dissipation rating of **500mW**, the BZX55C4V7 provides reliable performance in compact designs. Its glass encapsulation ensures durability while maintaining low leakage current and stable operation over a broad temperature range. Engineers often incorporate this diode for its consistent voltage regulation and cost-effectiveness in both prototyping and production environments.  

When selecting the BZX55C4V7, designers should consider its tolerance, temperature coefficient, and load conditions to ensure optimal circuit performance. Its simplicity and effectiveness make it a staple in electronic design for maintaining stable voltage levels under varying conditions.