TR : NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor SBD : Schottky Barrier Diode DC/DC Converter Applications The CPH5702 is a semiconductor component manufactured by SANYO. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
2. **Applications**: Designed for high-frequency amplification and switching applications.  
3. **Maximum Ratings** (Ta=25°C unless otherwise noted):  
   - Collector-Base Voltage (VCBO): -30V  
   - Collector-Emitter Voltage (VCEO): -20V  
   - Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V  
   - Collector Current (IC): -500mA  
   - Total Power Dissipation (PT): 500mW  
   - Operating Junction Temperature (Tj): 125°C  
   - Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C  

4. **Electrical Characteristics** (Ta=25°C):  
   - DC Current Gain (hFE): 120 to 400 (at VCE=-2V, IC=-10mA)  
   - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): -0.25V (max) (at IC=-100mA, IB=-10mA)  
   - Transition Frequency (fT): 200MHz (min) (at VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz)  

5. **Package**: TO-92 (standard through-hole package).  

For detailed performance curves or additional parameters, refer to the official SANYO datasheet.