MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC/DC Converter Applications The part CPH5801 is manufactured by SANYO. Below are its specifications based on the available knowledge:

1. **Type**: PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2. **Applications**: Designed for high-frequency amplification and oscillation applications.  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -20V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
6. **Collector Current (IC)**: -500mA  
7. **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW  
8. **Junction Temperature (Tj)**: 125°C  
9. **Storage Temperature Range (Tstg)**: -55°C to +150°C  
10. **Transition Frequency (fT)**: 200MHz (min)  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from SANYO.