- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 240 (at VCE = -5V, IC = -100mA)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.  

(Note: Always verify datasheets for the most accurate and updated specifications.)