2.4W AUDIO AMPLIFIER, SIF AMPLIFIER AND DETECTOR FOR TV SILICON MONOLITHIC BIPOLAR INTEGRATED CIRCUIT Part CD1353CP is a semiconductor device. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: ON Semiconductor  
- **Type**: NPN Silicon Transistor  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 500mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–300  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the confirmed specifications for CD1353CP as provided by ON Semiconductor.

2.4W AUDIO AMPLIFIER, SIF AMPLIFIER AND DETECTOR FOR TV SILICON MONOLITHIC BIPOLAR INTEGRATED CIRCUIT The **CD1353CP** from NEC is a versatile electronic component designed for a range of applications in signal processing and communication systems. This integrated circuit (IC) is known for its reliability and performance, making it a preferred choice in both consumer and industrial electronics.  

As a part of NEC’s semiconductor lineup, the CD1353CP is engineered to deliver efficient signal amplification and conditioning. Its compact design and low power consumption make it suitable for use in audio equipment, telecommunication devices, and other electronic systems requiring precise signal handling.  

Key features of the CD1353CP include robust noise immunity, stable operation across varying temperatures, and compatibility with standard circuit configurations. These attributes ensure consistent performance in demanding environments. Engineers and designers often integrate this component into circuits where signal integrity and durability are critical.  

While specific technical specifications may vary depending on the application, the CD1353CP remains a dependable solution for enhancing signal quality and system efficiency. Its legacy in the electronics industry underscores its role as a foundational component in numerous high-performance devices.  

For detailed operational parameters, consulting the official datasheet is recommended to ensure proper implementation in circuit designs.