IC Phoenix logo

Home ›  D  › D18 > DMP2004DMK-7

DMP2004DMK-7 from DIODES

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

DMP2004DMK-7

Manufacturer: DIODES

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DMP2004DMK-7,DMP2004DMK7 DIODES 12320 In Stock

Description and Introduction

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR **Introduction to the DMP2004DMK-7 Electronic Component**  

The **DMP2004DMK-7** is a high-performance **dual P-channel MOSFET** designed for power management applications. This component is widely used in circuits requiring efficient switching and low power dissipation, making it suitable for portable electronics, battery management systems, and DC-DC converters.  

Key features of the DMP2004DMK-7 include a low **on-resistance (RDS(on))**, which minimizes conduction losses, and a compact **DFN (Dual Flat No-Lead) package** that enhances thermal performance while saving board space. Its **logic-level gate drive** ensures compatibility with low-voltage control signals, simplifying integration into modern digital systems.  

With a robust **voltage rating** and **high current-handling capability**, this MOSFET is engineered for reliability in demanding environments. Its **fast switching characteristics** improve efficiency in high-frequency applications, reducing energy waste.  

Engineers favor the DMP2004DMK-7 for its balance of performance, size, and cost-effectiveness. Whether used in power supplies, motor control, or load switching, this component delivers consistent operation with minimal power loss. Its design adheres to industry standards, ensuring compatibility with automated assembly processes.  

For applications requiring precise power regulation and compact form factors, the DMP2004DMK-7 stands as a dependable solution in modern electronic designs.

Application Scenarios & Design Considerations

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR # Technical Documentation: DMP2004DMK7 Power MOSFET

 Manufacturer : DIODES  
 Component Type : N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
 Package : PowerDI®123

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The DMP2004DMK7 is primarily employed in power management applications requiring high efficiency and compact footprint:

 Primary Applications: 
-  DC-DC Converters : Synchronous buck converters for voltage regulation in 3-5V input systems
-  Load Switching : Power distribution control in portable devices and IoT applications
-  Motor Control : Small motor drivers for consumer electronics and automotive subsystems
-  Battery Management : Protection circuits and charging/discharge control in mobile devices

### Industry Applications
 Consumer Electronics: 
- Smartphones and tablets for power rail switching
- Wearable devices requiring minimal board space
- Portable gaming consoles and multimedia players

 Automotive Electronics: 
- Infotainment systems power management
- LED lighting control circuits
- Sensor interface power control

 Industrial Systems: 
- PLC I/O modules
- Low-power motor drives
- Power supply auxiliary circuits

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Ultra-compact footprint : PowerDI®123 package (2.5mm × 2.0mm) enables high-density PCB designs
-  Low RDS(ON) : 25mΩ maximum at VGS = 4.5V ensures minimal conduction losses
-  Fast switching : Typical switching times of 15ns reduce switching losses in high-frequency applications
-  Low gate charge : 8.5nC typical enables efficient gate driving with minimal drive current requirements
-  Enhanced thermal performance : Exposed pad design improves heat dissipation

 Limitations: 
-  Voltage constraint : Maximum VDS of 20V limits high-voltage applications
-  Current handling : Continuous drain current of 4.2A may require paralleling for higher current applications
-  ESD sensitivity : Requires proper ESD protection during handling and assembly
-  Thermal limitations : Maximum junction temperature of 150°C necessitates thermal management in high-power applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Considerations: 
-  Pitfall : Insufficient gate drive voltage leading to increased RDS(ON)
-  Solution : Ensure VGS meets minimum 4.5V requirement using proper gate driver ICs
-  Pitfall : Excessive gate resistor values causing slow switching and increased losses
-  Solution : Use 2-10Ω gate resistors to balance switching speed and EMI

 Thermal Management: 
-  Pitfall : Inadequate thermal vias under exposed pad causing thermal runaway
-  Solution : Implement minimum 4-6 thermal vias connecting to large ground plane
-  Pitfall : Ignoring power dissipation calculations in continuous operation
-  Solution : Calculate junction temperature using: TJ = TA + (RθJA × PD)

 Protection Circuits: 
-  Pitfall : Missing overcurrent protection during fault conditions
-  Solution : Implement current sensing with appropriate response time
-  Pitfall : Inadequate voltage clamping during inductive load switching
-  Solution : Add snubber circuits or TVS diodes for voltage spike suppression

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility: 
- Compatible with most modern gate drivers (TPS2828, LM5113 series)
- Ensure driver output voltage matches MOSFET VGS requirements
- Verify driver current capability exceeds MOSFET gate charge requirements

 Microcontroller Interface: 
- Direct compatibility with 3.3V and 5V microcontroller GPIO pins
- May require level shifting for 1.8V systems
- Consider adding series resistors for GPIO protection

 Power Supply Considerations: 
- Stable input voltage required within

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips