COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS The part D44H11 is manufactured by NS (National Semiconductor). Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 65W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15–60  
- **Transition Frequency (f_T)**: 30MHz  
- **Package**: TO-220  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS The part D44H11 is a power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are its key specifications:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: TO-220  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 80V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 100V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
6. **Collector Current (I_C)**: 10A  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 80W  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 25 to 75 (at I_C = 4A, V_CE = 4V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 20MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on ST's datasheet for the D44H11 transistor.

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS The part D44H11 is manufactured by FSC (Federal Supply Class). However, specific details about its manufacturer specifications are not provided in Ic-phoenix technical data files. For precise information, refer to official FSC documentation or contact the manufacturer directly.

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS The part D44H11 is a power transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 10A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 65W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25 to 75 (at I_C = 4A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 30MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the factual specifications for the D44H11 transistor as provided by ON Semiconductor.

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS The part D44H11 is manufactured by MOT. Below are the key specifications for this part:

1. **Type**: Transistor (NPN)  
2. **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce)**: 80V  
3. **Maximum Collector Current (Ic)**: 8A  
4. **Power Dissipation (Pd)**: 65W  
5. **DC Current Gain (hFE)**: 40-320  
6. **Package**: TO-220  
7. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications provided by the manufacturer.

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS