NPN 500mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) The DTD113EK is a digital transistor manufactured by ROHM Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Type**: Digital transistor (built-in resistor)
2. **Polarity**: NPN
3. **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
6. **Continuous Collector Current (IC)**: 100mA
7. **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
8. **DC Current Gain (hFE)**: 30 to 300 (depending on conditions)
9. **Built-in Resistors**:  
   - Base resistor (R1): 10kΩ  
   - Base-Emitter resistor (R2): 10kΩ  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
11. **Package**: SOT-23 (miniature surface-mount package)  

These specifications are based on ROHM's official datasheet for the DTD113EK. For precise application details, always refer to the manufacturer's documentation.

NPN 500mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) The DTD113EK is a digital transistor manufactured by ROHM. Below are its key specifications:

1. **Type**: Digital transistor (built-in resistor)  
2. **Polarity**: PNP  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -50V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -50V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
6. **Maximum Collector Current (I_C)**: -100mA  
7. **Total Power Dissipation (P_D)**: 200mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 82–390 (at V_CE = -5V, I_C = -2mA)  
9. **Built-in Resistors**:  
   - R1 (Base resistor): 4.7kΩ  
   - R2 (Base-Emitter resistor): 4.7kΩ  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
11. **Package**: SOT-23 (Miniature Surface Mount)  

These specifications are based on ROHM's official datasheet for the DTD113EK.