500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) The DTD113ES is a digital transistor manufactured by ROHM. Below are its key specifications:

1. **Type**: Digital transistor (built-in resistor)  
2. **Polarity**: NPN  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 50V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
6. **Maximum Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 200mW  
8. **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
9. **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 400  
10. **Built-in Resistor Values**:  
   - R1 (Base resistor): 10kΩ  
   - R2 (Base-Emitter resistor): 10kΩ  
11. **Package**: SOT-23 (Miniature surface-mount)  

These specifications are based on ROHM's official datasheet for the DTD113ES.