TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The part DXT3904 is an NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by DIODES Incorporated. Key specifications include:  

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 300 at I_C = 10mA, V_CE = 1V  
- **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package Type**: SOT-23  

These specifications are for general reference and may vary slightly based on operating conditions.