TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The part DXT5551 is a PNP transistor manufactured by DIODES. Key specifications include:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -600mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-89  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.