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DAN202U-T106 from ROHM

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DAN202U-T106

Manufacturer: ROHM

Switching Diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DAN202U-T106,DAN202UT106 ROHM 1600 In Stock

Description and Introduction

Switching Diode The part **DAN202U-T106** is manufactured by **ROHM**. Below are the specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** DAN202U-T106  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 20A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.027Ω (max)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files.

Application Scenarios & Design Considerations

Switching Diode # Technical Documentation: DAN202UT106 Schottky Barrier Diode

 Manufacturer : ROHM Semiconductor
 Component Type : Schottky Barrier Diode (SBD)
 Document Version : 1.0
 Date : October 26, 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The DAN202UT106 is a surface-mount Schottky barrier diode designed for high-frequency, low-loss rectification applications. Its primary function is to facilitate efficient current flow in one direction while minimizing forward voltage drop and reverse recovery time.

 Key Operational Roles: 
*    Reverse Polarity Protection:  Placed in series with the power input line to prevent damage from incorrect battery or power supply connection. Its low forward voltage (Vf) minimizes power loss in this configuration.
*    Freewheeling/Clamping Diode:  Used across inductive loads (relays, motors, solenoids) to provide a safe path for current when the driving switch (e.g., MOSFET) turns off, suppressing voltage spikes and protecting sensitive components.
*    OR-ing Diode:  In redundant power supply systems or battery backup circuits, it allows current from the higher-voltage source to flow to the load while isolating the other, preventing back-feeding.
*    Low-Voltage Rectification:  Suitable for secondary-side rectification in switch-mode power supplies (SMPS) operating at frequencies above 100 kHz, where its fast switching characteristics reduce switching losses.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Used in smartphone chargers, USB power delivery circuits, laptop adapters, and portable devices for efficient DC-DC conversion and protection.
*    Automotive Electronics:  Employed in infotainment systems, LED lighting drivers, and body control modules (BCMs) where low Vf and high-temperature operation are critical.
*    Industrial Control:  Found in PLC I/O modules, sensor interfaces, and low-power motor drives for clamping and protection functions.
*    Telecommunications:  Utilized in network equipment, routers, and base station power subsystems for OR-ing and rectification in point-of-load (PoL) converters.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Forward Voltage Drop (Vf):  Typically 0.37V at 1A. This results in lower conduction losses and higher efficiency compared to standard PN-junction diodes.
*    Fast Switching Speed:  Negligible reverse recovery time (trr). This minimizes switching losses in high-frequency circuits and reduces electromagnetic interference (EMI).
*    High Surge Current Capability:  Can withstand high inrush currents, making it robust for capacitive load switching.
*    Compact Package (SOD-123FL):  Saves board space and is suitable for automated surface-mount assembly.

 Limitations: 
*    Higher Reverse Leakage Current:  Schottky diodes inherently have higher reverse leakage current (Ir) than PN diodes, which increases with temperature. This can be a concern in high-temperature, high-voltage applications.
*    Moderate Reverse Voltage Rating:  The DAN202UT106 has a repetitive peak reverse voltage (VRRM) of 60V. It is not suitable for offline or high-voltage rectification (e.g., 120/240V AC mains).
*    Thermal Sensitivity:  Performance parameters, especially reverse leakage, are more temperature-dependent. Adequate thermal management is required in high-power-density designs.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Exceeding Reverse Voltage Rating.  Applying a voltage exceeding VRRM (60V), even transiently, can cause immediate failure.
    *    Solution:  Always design with a safety margin (e.g., 20-

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