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DAN202U T106 from ROHM

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DAN202U T106

Manufacturer: ROHM

Switching Diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DAN202U T106,DAN202UT106 ROHM 4200 In Stock

Description and Introduction

Switching Diode The part **DAN202U** (T106) is manufactured by **ROHM**. Below are its specifications based on the available knowledge:  

- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** DAN202U (T106)  
- **Type:** Diode Array  
- **Configuration:** Dual common cathode  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 30V  
- **Forward Current (IF):** 200mA per diode  
- **Forward Voltage (VF):** 1V (typical at 10mA)  
- **Power Dissipation (PD):** 300mW  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (SC-59)  

This information is strictly factual from the provided knowledge base.

Application Scenarios & Design Considerations

Switching Diode # Technical Documentation: DAN202UT106 Schottky Barrier Diode

 Manufacturer : ROHM Semiconductor
 Document Version : 1.0
 Last Updated : October 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The DAN202UT106 is a dual common-cathode Schottky barrier diode designed for high-frequency, low-loss rectification applications. Its primary use cases include:

*    Switching Power Supply Output Rectification : Employed in DC-DC converters (buck, boost, flyback topologies) for secondary-side synchronous rectification or freewheeling diode functions, significantly reducing forward voltage drop (VF) losses compared to standard PN-junction diodes.
*    Reverse Current/Voltage Protection : Used as a steering or blocking diode in battery-powered devices, USB power paths, and input protection circuits to prevent damage from reverse polarity connection or back-EMF.
*    High-Frequency Signal Demodulation : Suitable in RF circuits for envelope detection and mixing due to its fast switching characteristics and low junction capacitance.
*    OR-ing and Load Sharing : In redundant power systems or multi-source power paths, the dual common-cathode configuration is ideal for creating simple, low-loss diode-OR circuits to select the highest available voltage source.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics : Smartphones, tablets, laptops (for DC-DC conversion and USB-C port protection).
*    Automotive Electronics : Infotainment systems, LED lighting drivers, and low-voltage DC motor control circuits (within specified non-safety-critical domains).
*    Industrial Power Systems : Low-voltage distributed power rails, PLC I/O module protection, and sensor interface circuits.
*    Telecommunications & Networking : Point-of-load (POL) converters on router/switch boards and RF front-end modules.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Forward Voltage Drop (VF) : Typically 0.37V at 1A. This minimizes power dissipation (Ploss = VF × IF) and improves overall system efficiency, especially in high-current paths.
*    Fast Switching Speed : Virtually no reverse recovery time (trr ≈ 0 ns), eliminating reverse recovery losses and associated noise. This is critical for high-frequency switching power supplies.
*    Dual Common-Cathode in Ultra-Compact Package : The SOT-363 (SC-88) package saves PCB space and simplifies layout for symmetrical or dual-channel circuits.
*    Low Junction Capacitance : Reduces AC losses and signal distortion in high-frequency applications.

 Limitations: 
*    Higher Reverse Leakage Current (IR) : Compared to PN diodes, Schottky diodes have inherently higher leakage, which increases with temperature. This can be a concern in high-temperature, low-power standby circuits.
*    Lower Maximum Reverse Voltage (VR) : The DAN202UT106 is rated for 60V. It is unsuitable for offline or high-voltage rectification.
*    Thermal Sensitivity : Performance parameters (especially VF and IR) are more temperature-dependent. Adequate thermal management is required in high-current applications.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Thermal Runaway in Parallel Operation 
    *    Issue : The negative temperature coefficient of VF can cause current hogging in one diode if multiple devices are paralleled for higher current.

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