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DAN217-T146 from ROHM

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DAN217-T146

Manufacturer: ROHM

Switching Diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DAN217-T146,DAN217T146 ROHM 4711 In Stock

Description and Introduction

Switching Diode The part DAN217-T146 is manufactured by ROHM. It is a Schottky barrier diode with the following specifications:

- **Type**: Schottky barrier diode
- **Package**: TO-252 (DPAK)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40V
- **Average Rectified Output Current (IO)**: 2A
- **Forward Voltage (VF)**: 0.55V (typical) at 1A
- **Reverse Current (IR)**: 0.1mA (maximum) at VR = 40V
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on standard conditions unless otherwise noted.

Application Scenarios & Design Considerations

Switching Diode # Technical Datasheet: DAN217T146 Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The DAN217T146 is a high-performance Schottky barrier diode (SBD) primarily employed in power conversion and protection circuits where low forward voltage drop and fast switching characteristics are critical. Its most common applications include:

*  Output Rectification in Switching Power Supplies : Used in DC-DC converters (buck, boost, flyback topologies) for secondary-side rectification, significantly reducing conduction losses compared to standard PN-junction diodes.
*  Reverse Polarity Protection : Placed in series with the power input line to prevent damage from accidental battery or supply reversal in portable devices, automotive systems, and industrial equipment.
*  Freewheeling/Clamping Diodes : Across inductive loads (relays, motors, solenoids) to suppress voltage spikes by providing a safe path for inductive kickback current.
*  OR-ing Circuits : In redundant power systems or battery backup circuits to allow current flow from the highest voltage source while isolating others, preventing back-feeding.

### Industry Applications
*  Consumer Electronics : Smartphone chargers, laptop adapters, LED TV power boards, and gaming consoles for efficient power conversion.
*  Automotive Electronics : DC-DC converters, infotainment systems, LED lighting drivers, and body control modules, where reliability under temperature extremes is required.
*  Industrial Automation : Motor drives, PLC power supplies, and sensor interfaces requiring robust transient protection.
*  Telecommunications : Base station power supplies and PoE (Power over Ethernet) equipment.
*  Renewable Energy : Solar micro-inverters and charge controllers for maximum power point tracking (MPPT) circuits.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*  Low Forward Voltage (VF) : Typically 0.37V at 1A, reducing power dissipation and improving efficiency, especially in low-voltage, high-current applications.
*  Fast Switching Speed : Negligible reverse recovery time (trr ~ ns range), minimizing switching losses and electromagnetic interference (EMI) in high-frequency circuits (>100 kHz).
*  High Surge Current Capability : Withstands short-duration overloads, enhancing system robustness.
*  Low Thermal Resistance : Efficient heat dissipation due to its package design (TO-277AD), allowing higher continuous current in a compact footprint.

 Limitations: 
*  Higher Reverse Leakage Current : Compared to PN diodes, especially at elevated temperatures, which can increase standby power consumption.
*  Lower Reverse Voltage Rating : Maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of 60V limits use in high-voltage applications; series connection for higher voltage requires careful balancing.
*  Temperature Sensitivity : Forward voltage decreases with temperature, which can affect current sharing in parallel configurations without external measures.
*  Cost : Generally more expensive than standard rectifiers for comparable current ratings.

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
*  Thermal Runaway in Parallel Configurations : Due to the negative temperature coefficient of VF, one diode may hog current, leading to localized overheating.
  *  Solution : Use separate diodes per branch or add small series resistors (10–50 mΩ) to enforce current sharing; ensure symmetrical PCB layout.
*  Voltage Overshoot During Switching : Fast switching can cause ringing from parasitic inductance, potentially exceeding VRRM.
  *  Solution : Implement an RC snubber network across the diode and minimize loop area in high-di/dt paths.
*  Avalanche Energy Mismatch : The DAN217T146 is not rated for repetitive avalanche operation; continuous operation above VRRM can cause premature failure.
  *  Solution : Design with sufficient voltage margin (≥20%) and use TVS diodes for overvoltage clamping if transients are expected.
*  Inadequate Heat Sinking : Assuming the diode

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