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DFLS120L from DIODES

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DFLS120L

Manufacturer: DIODES

1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DFLS120L DIODES 50000 In Stock

Description and Introduction

1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER The DFLS120L is a Schottky diode manufactured by DIODES Incorporated. Key specifications include:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier
- **Voltage Rating (VRRM)**: 20V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 0.38V (typical at 1A)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.5mA (maximum at 20V)
- **Package**: SOD-123FL
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C

These specifications are based on DIODES Incorporated's datasheet for the DFLS120L.

Application Scenarios & Design Considerations

1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER # Technical Documentation: DFLS120L Schottky Barrier Rectifier

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The DFLS120L is a 1A, 20V Schottky barrier rectifier primarily employed in  low-voltage, high-frequency switching applications  where forward voltage drop and switching speed are critical. Its most common implementations include:

-  Freewheeling/Clamping Diodes  in DC-DC buck, boost, and flyback converters operating at frequencies above 100 kHz. The fast reverse recovery characteristic minimizes switching losses and reduces voltage spikes across the main switching element (e.g., MOSFET).
-  Output Rectification  in low-voltage power supplies (<20V), particularly where efficiency is paramount. The low forward voltage (V_F ~0.38V at 1A) reduces conduction losses compared to standard PN-junction rectifiers.
-  Reverse Polarity Protection  for sensitive circuits in battery-powered devices (portable electronics, IoT sensors). The low V_F minimizes the voltage headroom loss in series protection configurations.
-  OR-ing Diodes  in redundant power path or battery backup systems, where its low forward voltage improves power transfer efficiency and reduces heat generation.

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics:  Used in smartphone/tablet chargers, USB power delivery circuits, and laptop DC-DC converter modules.
-  Automotive (Non-Critical):  Employed in infotainment systems, LED lighting drivers, and low-power auxiliary DC-DC converters (subject to environmental qualification).
-  Industrial Control:  Found in PLC I/O modules, sensor interfaces, and low-power isolated gate driver power supplies.
-  Telecommunications:  Utilized in network switch/router point-of-load (PoL) converters and fiber optic transceiver power conditioning circuits.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Efficiency:  Low forward voltage drop (V_F) and negligible reverse recovery time (trr ~5ns typical) significantly reduce both conduction and switching losses.
-  Thermal Performance:  The SMB (DO-214AA) package offers a good balance of compact size and thermal dissipation capability (junction-to-ambient RθJA ~100°C/W).
-  Surge Robustness:  Capable of withstanding non-repetitive peak surge currents (IFSM) of 30A, providing a margin for inrush or transient conditions.

 Limitations: 
-  Voltage Rating:  The 20V reverse voltage (VRRM) restricts use to circuits with steady-state voltages well below 15V, considering derating and transients.
-  Thermal Derating:  Maximum junction temperature (T_J) of 125°C requires careful thermal management at high ambient temperatures or high continuous currents.
-  Leakage Current:  Reverse leakage (IR) increases exponentially with temperature—a critical factor in high-temperature environments (>85°C) where it can contribute to standby power loss.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
| Pitfall | Consequence | Solution |
| :--- | :--- | :--- |
|  Insufficient Voltage Derating  | Overvoltage transients exceed VRRM, causing catastrophic failure. | Select diode with VRRM ≥ 1.5× maximum expected circuit voltage. For 12V systems, consider a 30V or 40V Schottky. |
|  Ignoring Thermal Runaway  | Excessive junction temperature from high I_R at elevated T_J leads to thermal failure. | Calculate power dissipation (P_D = V_F × I_F_avg + V_R × I_R) and ensure T_J < 125°C with adequate heatsinking or airflow. |
|  Poor Transient Suppression  | Voltage spikes from inductive switching (

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