NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications The part EC3H06B is manufactured by SANYO. It is a Schottky barrier diode with the following specifications:  

- **Type**: Schottky barrier diode  
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 60V  
- **Maximum average forward rectified current (IO)**: 3A  
- **Forward voltage (VF)**: 0.55V (typical at 3A)  
- **Reverse current (IR)**: 0.5mA (maximum at 60V)  
- **Operating junction temperature range (TJ)**: -55°C to +125°C  
- **Package**: DO-214AA (SMB)  

These are the key specifications for the SANYO EC3H06B diode.