Fast Rectifiers (Glass Passivated) The EGP10D is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Vishay. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 40 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V  
- **Collector Current (I_C)**: 500 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625 mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 300 (at I_C = 10 mA, V_CE = 1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Vishay's datasheet for the EGP10D transistor.