GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER The EGP50F is a high-power NPN bipolar transistor manufactured by Vishay. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 400 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 500 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6 V  
- **Collector Current (I_C)**: 5 A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 60  
- **Transition Frequency (f_T)**: 10 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-220 (isolated tab)  

These specifications are based on Vishay's datasheet for the EGP50F transistor.