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FDS4672A from

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FDS4672A

40V N-Channel PowerTrench MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDS4672A 9 In Stock

Description and Introduction

40V N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDS4672A is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -6.7A  
- **RDS(on) (Max):** 50mΩ at VGS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SO-8  

This MOSFET is designed for applications requiring high efficiency and low on-resistance.

Application Scenarios & Design Considerations

40V N-Channel PowerTrench MOSFET# FDS4672A N-Channel PowerTrench® MOSFET Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDS4672A is a 30V N-Channel PowerTrench MOSFET commonly employed in:

 Power Management Circuits 
- DC-DC converters and voltage regulators
- Load switching applications
- Power supply OR-ing circuits
- Battery protection systems

 Motor Control Applications 
- Small motor drivers (up to 5A continuous current)
- H-bridge configurations for bidirectional control
- PWM-controlled motor speed regulation

 Automotive Systems 
- Electronic control units (ECUs)
- Lighting control modules
- Power window motors
- Seat adjustment systems

### Industry Applications

 Consumer Electronics 
- Laptop computers and tablets
- Smartphones and portable devices
- Gaming consoles
- Power banks and charging circuits

 Industrial Automation 
- PLC output modules
- Sensor interface circuits
- Actuator control systems
- Industrial power supplies

 Telecommunications 
- Network equipment power distribution
- Base station power management
- Router and switch power circuits

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON):  Typically 9.5mΩ at VGS = 10V, enabling high efficiency
-  Fast Switching:  Typical rise time of 15ns and fall time of 10ns
-  Thermal Performance:  Low thermal resistance (62°C/W junction-to-case)
-  Compact Package:  SO-8 package with small footprint
-  Avalanche Rated:  Robust against voltage spikes

 Limitations: 
-  Voltage Constraint:  Maximum VDS of 30V limits high-voltage applications
-  Current Handling:  7.3A maximum continuous current may require paralleling for high-power applications
-  Gate Sensitivity:  Maximum VGS of ±20V requires careful gate drive design
-  Thermal Considerations:  Power dissipation of 2.5W requires adequate heatsinking

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall:  Insufficient gate drive voltage leading to increased RDS(ON)
-  Solution:  Ensure gate driver provides adequate voltage (typically 10V) and current capability

 Thermal Management 
-  Pitfall:  Inadequate heatsinking causing thermal runaway
-  Solution:  Implement proper PCB copper area (≥ 1in² recommended) and consider external heatsinks for high-current applications

 Voltage Spikes 
-  Pitfall:  Inductive kickback exceeding maximum VDS rating
-  Solution:  Use snubber circuits and ensure proper freewheeling diode placement

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers 
- Compatible with most standard MOSFET drivers (TC4420, MIC4416, etc.)
- Ensure driver output voltage does not exceed maximum VGS rating

 Microcontrollers 
- Direct compatibility with 3.3V and 5V logic levels when using appropriate gate drivers
- May require level shifting for direct connection to lower voltage MCUs

 Power Supplies 
- Works well with switching regulators up to 500kHz
- Compatible with various feedback control ICs

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Use wide traces for drain and source connections (minimum 50 mil width for 1A)
- Place input and output capacitors close to MOSFET terminals
- Implement ground planes for improved thermal performance

 Gate Drive Circuit 
- Keep gate drive traces short and direct
- Place gate resistor close to MOSFET gate pin
- Minimize loop area in gate drive path to reduce parasitic inductance

 Thermal Management 
- Use thermal vias under the device package
- Provide adequate copper area for heatsinking (minimum 0.5in² per side)
- Consider exposed pad connection to internal ground planes

 High

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