Schottky Barrier Rectifier The FYP2010DN is a PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Technology**: PowerTrench  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 69A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 280A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g)**: 60nC (typical at V_DS = 10V, I_D = 34A)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FYP2010DN.

Schottky Barrier Rectifier The FYP2010DN is a Schottky diode manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). Here are the key specifications:  

- **Manufacturer**: FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)  
- **Type**: Schottky Barrier Diode  
- **Voltage Rating (Vr)**: 20V  
- **Current Rating (If)**: 10A  
- **Forward Voltage (Vf)**: 0.55V (typical at 5A)  
- **Reverse Leakage Current (Ir)**: 0.5mA (typical at 20V)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

This information is based solely on the provided knowledge base.