PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part FZT1151A is manufactured by ZETEX. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Transistor  
- **Package**: SOT-223  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 60V  
- **Collector Current (I_C)**: 1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) at I_C = 100mA  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual details available for the FZT1151A transistor from ZETEX.

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part FZT1151A is manufactured by **Diodes Incorporated**. It is a **P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)** with the following key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.1A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 45mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4V to -1.5V  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation from Diodes Incorporated.