PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part FZT1151ATA is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Transistor (BJT)
- **Package**: SOT223
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 100V
- **Collector Current (I_C)**: 1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.25W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) at I_C = 100mA
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is designed for high-voltage, high-speed switching applications.

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part **FZT1151ATA** is manufactured by **ZETEX**. Here are its specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT-223
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 100V
- **Collector Current (I_C)**: 1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) at I_C = 100mA
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.