IC Phoenix logo

Home ›  F  › F9 > FDS3170N7

FDS3170N7 from FSC,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

FDS3170N7

Manufacturer: FSC

100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDS3170N7 FSC 710 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel PowerTrench MOSFET The **FDS3170N7** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it ideal for use in DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 45A, the FDS3170N7 delivers robust performance in demanding environments. Its compact **SO-8** package ensures space-efficient integration into modern circuit designs while maintaining excellent thermal characteristics.  

Key advantages include enhanced power efficiency, reduced conduction losses, and improved thermal management—critical factors in high-frequency switching applications. Additionally, the MOSFET's low gate charge (Qg) minimizes drive requirements, contributing to overall system efficiency.  

Engineers and designers often select the FDS3170N7 for its reliability and performance in industrial, automotive, and consumer electronics. Its combination of high current handling, low resistance, and fast switching makes it a versatile choice for optimizing power conversion and load control in compact, energy-efficient designs.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper implementation in your application.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDS3170N7 FAIRCHILD 2385 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel PowerTrench MOSFET The FDS3170N7 is a PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** PowerTrench®  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 25A  
- **RDS(ON) (Max):** 7.5mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Applications:**  
- Power management  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  

Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016, so the part may now be under ON Semiconductor's product lineup.  

Would you like additional details from the datasheet?

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDS3170N7 FAI 1419 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel PowerTrench MOSFET The FDS3170N7 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
- **Part Number:** FDS3170N7  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDSS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 62A (at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 7.0mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** Power56 (5x6mm)  
- **Technology:** Advanced TrenchFET®  

These specifications should be verified against the datasheet for exact FAI requirements.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDS3170N7 FAIRCHILD 80000 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel PowerTrench MOSFET The FDS3170N7 is a PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Technology**: PowerTrench  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 200A  
- **RDS(on) (Max)**: 4.5mΩ at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips