128K x 16 Hight Speed SRAM with 3.3V The IC61LV12816-12B is a 128K x 16-bit (2M-bit) low-voltage CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Integrated Circuit Solution Inc. (ICSI). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Density:** 2M-bit (128K x 16-bit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 12ns  
- **Operating Current:** 70mA (typical)  
- **Standby Current:** 5mA (typical)  
- **Package:** 48-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Interface:** CMOS-compatible  

### **Descriptions:**  
- The IC61LV12816-12B is a high-performance, low-power SRAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- It is suitable for embedded systems, networking devices, and other high-speed memory applications.  
- The device supports asynchronous operation and features a common I/O architecture.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-operated and portable devices.  
- **High-Speed Operation:** 12ns access time for fast data retrieval.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V (±0.3V).  
- **BGA Package:** Space-efficient 48-ball BGA for compact designs.  
- **CMOS Technology:** Ensures low standby current and high noise immunity.  
- **Tri-State Outputs:** Allows for easy bus sharing in multi-device systems.  

This information is strictly based on the manufacturer's provided data.

128K x 16 Hight Speed SRAM with 3.3V The IC61LV12816-12B is a 128K x 16-bit (2 Mbit) high-speed CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 128K x 16-bit (2 Mbit)  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 12 ns  
- **Operating Current:** 80 mA (typical)  
- **Standby Current:** 10 µA (typical)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** 44-pin TSOP II (Type II)  

### **Descriptions:**
- The IC61LV12816-12B is a high-performance, low-power SRAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- It is compatible with 3.3V systems and features a fully static memory cell design, eliminating the need for external refresh.  
- The device supports asynchronous operation with separate byte controls (UB, LB) for flexible read/write operations.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 12 ns access time.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 80 mA (typical).  
  - Standby current: 10 µA (typical).  
- **3.3V Single Power Supply.**  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required.  
- **Byte Control:** Supports upper byte (UB) and lower byte (LB) control.  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs.**  
- **Industrial Temperature Support (-40°C to +85°C).**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant.**  

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, embedded systems, and other high-speed memory applications.