1200V HighSpeed2 and 600V HighSpeed IGBT for switching frequency from 30kHz upwards. Focus applications: Lamp ballast, power supplies ... The IGB03N120H2 is a power semiconductor device manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Part Number:** IGB03N120H2  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 3 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 2 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 30 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0 V (typical) @ I_C = 3 A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The IGB03N120H2 is a high-voltage IGBT designed for switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for energy-efficient power conversion.  
- The device is designed for use in inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 1200 V breakdown voltage.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **TO-263 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

1200V HighSpeed2 and 600V HighSpeed IGBT for switching frequency from 30kHz upwards. Focus applications: Lamp ballast, power supplies ...