General purpose transistor (isolated dual transistors) The part **IMT17T110** is manufactured by **ROHM**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Single N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 110mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- A high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For exact performance characteristics, refer to the official **ROHM datasheet**.