**Part Number:** IMT1AT110  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode (SBD)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Average Forward Current (IO):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.38V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 100µA (max at 100V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOD-123 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The IMT1AT110 is a Schottky Barrier Diode designed for high efficiency and low forward voltage drop.  
- It is optimized for switching power supplies, reverse polarity protection, and high-frequency rectification.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage (VF):** Enhances power efficiency.  
- **High Surge Current Capability:** Withstands high transient currents.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact Package (SOD-123):** Space-saving for PCB designs.  
- **High Reliability:** Stable performance under varying conditions.  

(Source: ROHM Semiconductor Datasheet)